Samsung近日正式宣布成功開發首款採用10nm製程的8Gb LPDDR5 DRAM記憶體顆粒，不僅將傳輸速度提升至6400Mb/s，是目前LPDDR4X記憶體顆粒傳輸效能的1.5倍，還能夠針對不同裝置功耗與效率需求提供6400Mb/s@1.1V與5500Mb/s@1.05V兩種電壓與傳輸效率規格，並且在新一代的8Gb LPDDR5 DRAM記憶體顆粒中還有加入全新的deep sleep mode模式，因此也讓整體功耗比起LPDDR4X DRAM降低了30%左右，為裝置提供更長的續航力表現。預計很快就會在新一代的行動裝置或車用設備開始搭載Samsung新一代的10nm 8Gb LPDDR5 DRAM記憶體顆粒。
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